<blockquote id="cgec0"></blockquote>
FinFET等多種新結(jié)構(gòu)器件的發(fā)明人——胡正明
胡正明教授領(lǐng)導(dǎo)研究出BSIM，該數(shù)學(xué)模型于1997年被國(guó)際上38家大公司參與的晶體管模型理事會(huì)選為設(shè)計(jì)芯片的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)；發(fā)明了在國(guó)際上極受矚目的FinFET等多種新結(jié)構(gòu)器件；提出熱電子失效的物理機(jī)制，開(kāi)發(fā)出用碰撞電離電流快速預(yù)測(cè)器件壽命的方法，并且提出薄氧化層失效的物理機(jī)制和用高電壓快速預(yù)測(cè)薄氧化層壽命的方法；首創(chuàng)了在器件可靠型物理的基礎(chǔ)上的IC可靠型的計(jì)算機(jī)數(shù)值模擬工具。
<dd id="gcecc"></dd>
